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Departamento de electronica Universidad de Alcala

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    Effects of N2 Plasma Pretreatment on the SiN Passivation of AlGaN/GaN HEMT

    TítuloEffects of N2 Plasma Pretreatment on the SiN Passivation of AlGaN/GaN HEMT
    Tipo de publicaciónJournal Article
    Año de publicación2008
    AutoresF.González,, Romero, MF, Jiménez, A, Sánchez, JM, Braña, AF
    Idioma de publicaciónEnglish
    Revista académicaIEEE Electron Device Letters
    Volumen29
    Número3
    Páginas209-211
    Fecha de publicaciónmarzo/2008
    Lugar de publicaciónEEUU
    ISSN0741-3106

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