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Study of SiNx:Hy passivant layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Título	Study of SiNx:Hy passivant layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Tipo de publicación	Journal Article
Año de publicación	2010
Autores	Redondo, A, Gago, R, Romero, MF, Jiménez, A
Idioma de publicación	English
Revista académica	physica status solidi
Volumen	5
Número	2
Páginas	518-521
Fecha de publicación	enero 2008
ISSN	2008.915568
DOI	10.1002/pssc.200777473